STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 60 A 110 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 761-0156
- Herst. Teile-Nr.:
- STP65NF06
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (5 Stück, in einer Packung mit 5)*
CHF 2.73
Auf Lager
- 15 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 725 Einheit(en) mit Versand ab 14. Oktober 2026
- Zusätzlich 120 Einheit(en) mit Versand ab 14. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF 0.545 | CHF 2.71 |
| 50 - 120 | CHF 0.525 | CHF 2.65 |
| 125 - 495 | CHF 0.515 | CHF 2.58 |
| 500 + | CHF 0.485 | CHF 2.43 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 761-0156
- Herst. Teile-Nr.:
- STP65NF06
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | STripFET II | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 14Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 54nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 15.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.6mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie STripFET II | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 14Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 54nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 15.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.6mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 60 A 110 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 110 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 60 A 110 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 60 A 110 W, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 60 A 150 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 110 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 38 A 80 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 30 W, 3-Pin TO-220