STMicroelectronics Einfach FDmesh N-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage MOSFET 600 V Erweiterung / 51 A 350 W,

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RS Best.-Nr.:
761-0336P
Herst. Teile-Nr.:
STW55NM60ND
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

51A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

FDmesh

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage, Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

60mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

350W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

-25V, +25V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

190nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Normen/Zulassungen

No

Höhe

20.15mm

Breite

5.15mm

Länge

15.75mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics


MOSFET Transistors, STMicroelectronics


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