STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 12 A 25 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 761-2754
- Herst. Teile-Nr.:
- STF14NM50N
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.2.384
Vorübergehend ausverkauft
- 100 Einheit(en) mit Versand ab 23. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | CHF.2.38 |
| 5 - 9 | CHF.2.28 |
| 10 - 24 | CHF.2.05 |
| 25 - 49 | CHF.1.84 |
| 50 + | CHF.1.75 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 761-2754
- Herst. Teile-Nr.:
- STF14NM50N
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | MDmesh | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 320mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 25W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 16.4mm | |
| Breite | 4.6 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie MDmesh | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 320mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 25W | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 16.4mm | ||
Breite 4.6 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 12 A 25 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 14 A 110 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 21 A 35 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 12 A 90 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 12 A 160 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 21 A 150 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 14 A 150 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 7.2 A 110 W, 3-Pin TO-220