STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 2,5 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

RS Best.-Nr.:: 761-2821P
Herst. Teile-Nr.:: STF3NK100Z
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 2,5 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 761-2821P
Herst. Teile-Nr.:: STF3NK100Z
Marke:: STMicroelectronics

N-channel 1000 V, 5.4 Ohm, 2.5 A, DPAK Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	2,5 A
Drain-Source-Spannung max.	1000 V
Gehäusegröße	TO-220FP
Serie	MDmesh, SuperMESH
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	6 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	25 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Länge	10.4mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	18 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	4.6mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	16.4mm

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 2,5 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics