onsemi BUZ11 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 50 V / 30 A 75 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 761-3515
- Herst. Teile-Nr.:
- BUZ11-NR4941
- Marke:
- onsemi
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CHF.7.98
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.596 | CHF.7.98 |
| 50 - 95 | CHF.1.376 | CHF.6.88 |
| 100 - 495 | CHF.1.197 | CHF.5.96 |
| 500 - 995 | CHF.1.05 | CHF.5.24 |
| 1000 + | CHF.0.956 | CHF.4.77 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 761-3515
- Herst. Teile-Nr.:
- BUZ11-NR4941
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 50V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | BUZ11 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 75W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 16.51mm | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 50V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie BUZ11 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 75W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 16.51mm | ||
Breite 4.83 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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