onsemi Isoliert N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 115 mA 200 mW, 6-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 761-3571P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002DW
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 500 Stück (geliefert auf Rolle)*
CHF 121.00
Auf Lager
- Zusätzlich 69'650 Einheit(en) mit Versand ab 05. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 500 - 950 | CHF 0.242 |
| 1000 + | CHF 0.212 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 761-3571P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002DW
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 115mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Länge | 2mm | |
| Breite | 1.25mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 115mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Länge 2mm | ||
Breite 1.25mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 2N7002DW ist ein Universal-MOSFET mit zwei N-Kanälen. Er verfügt über einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine niedrige Gate-Schwellenspannung. Er verfügt außerdem über eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und ist in einem extrem kleinen SMD-Gehäuse erhältlich. Dieser zweifache N-Kanal-MOSFET wird üblicherweise in allen allgemeinen Anwendungen verwendet, wird aber häufig in Motorsteuerungen und PMF (Power Management Functions) verwendet.
Eigenschaften und Vorteile:
• Zweifach-N-Kanal
• Niedriger Einschaltwiderstand
• Niedriger Gate-Schwellenwert
• Schnelle Schaltgeschwindigkeit
• Niedrige Eingangs- und Ausgangsleckage
Zweifach-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser enorme Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.