onsemi NDT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 7.5 A 3 W, 4-Pin SOT-223

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Herst. Teile-Nr.:
NDT456P
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

NDT

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

54mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

47nC

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

3W

Betriebstemperatur min.

-65°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.7mm

Höhe

1.7mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-MOSFET im Erweiterungsmodus on Semiconductor


Die P-Kanal-MOSFETs der Serie ON Semiconductors werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semi mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine robuste und zuverlässige Leistung für schnelles Schalten zu bieten.

Eigenschaften und Vorteile:


• Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignalschalter

• Zelldesign mit hoher Dichte

• Hoher Sättigungsstrom

• Hervorragende Schaltleistung

• Große robuste und zuverlässige Leistung

• DMOS-Technologie

Anwendungen:


• Lastschaltung

• DC/DC-Wandler

• Batterieschutz

• Stromüberwachungssteuerung

• Gleichstrommotor-Steuerung

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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