onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.7 A 500 mW, 3-Pin FDN359AN SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 761-9840
- Herst. Teile-Nr.:
- FDN359AN
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.3.36
Auf Lager
- 70 Einheit(en) versandfertig
- Zusätzlich 380 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 37’530 Einheit(en) mit Versand ab 07. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.336 | CHF.3.38 |
| 100 - 240 | CHF.0.294 | CHF.2.91 |
| 250 - 490 | CHF.0.252 | CHF.2.53 |
| 500 - 990 | CHF.0.221 | CHF.2.23 |
| 1000 + | CHF.0.20 | CHF.2.02 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 761-9840
- Herst. Teile-Nr.:
- FDN359AN
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 75mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Höhe | 0.94mm | |
| Länge | 2.92mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 75mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.4 mm | ||
Höhe 0.94mm | ||
Länge 2.92mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,7 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 2,7 A 960 mW, 6-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,6 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,4 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1,25 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,5 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2 A 500 mW, 3-Pin SOT-23