DiodesZetex Einfach N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 12 V Erweiterung / 11 A 2.17 W, 6-Pin UDFN-2020
- RS Best.-Nr.:
- 770-5266P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN1019UFDE-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 770-5266P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN1019UFDE-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Gehäusegröße | UDFN-2020 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 41mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.17W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8V, -8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Höhe | 580μm | |
| Länge | 2.05mm | |
| Breite | 2.05mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Gehäusegröße UDFN-2020 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 41mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.17W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8V, -8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Höhe 580μm | ||
Länge 2.05mm | ||
Breite 2.05mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- CN