Renesas Electronics P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 A 120 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 772-5264P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SJ606-AZ
- Marke:
- Renesas Electronics
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 40 - 198 | CHF.2.141 |
| 200 - 398 | CHF.1.959 |
| 400 - 998 | CHF.1.818 |
| 1000 + | CHF.1.808 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 772-5264P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SJ606-AZ
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 300 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 23 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Verlustleistung max. | 120 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 10mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 120 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 8.5mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 4.8mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 300 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 23 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 120 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 10mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 120 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 8.5mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 4.8mm | ||
P-Kanal-MOSFET, Renesas Electronics (NEC)
MOSFET-Transistoren, Renesas Electronics (NEC)