Renesas Electronics N-Kanal, THT MOSFET 140 V / 7 A 100 W, 3-Pin SC-65
- RS Best.-Nr.:
- 772-5282P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK1057-E
- Marke:
- Renesas Electronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 20 - 49 | CHF.8.94 |
| 50 - 249 | CHF.8.77 |
| 250 - 499 | CHF.8.59 |
| 500 + | CHF.8.41 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 772-5282P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK1057-E
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 7 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 140 V | |
| Gehäusegröße | SC-65 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.45V | |
| Verlustleistung max. | 100 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -15 V, +15 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 15.6mm | |
| Breite | 4.8mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 19.9mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 7 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 140 V | ||
Gehäusegröße SC-65 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.45V | ||
Verlustleistung max. 100 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -15 V, +15 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 15.6mm | ||
Breite 4.8mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 19.9mm | ||