Renesas Electronics N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 200 mA 200 mW, 3-Pin SC-59
- RS Best.-Nr.:
- 772-5349
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK2158-T1B-A
- Marke:
- Renesas Electronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 772-5349
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK2158-T1B-A
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 200 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 50 V | |
| Gehäusegröße | SC-59 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 50 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.1V | |
| Verlustleistung max. | 200 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -7 V, +7 V | |
| Breite | 1.5mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 2.9mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 1.3mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 200 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 50 V | ||
Gehäusegröße SC-59 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 50 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.1V | ||
Verlustleistung max. 200 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -7 V, +7 V | ||
Breite 1.5mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 2.9mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 1.3mm | ||