Renesas Electronics N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 240 A 125 W, 3-Pin SC-65
- RS Stock No.:
- 772-5355P
- Mfr. Part No.:
- 2SK2586-E
- Brand:
- Renesas Electronics
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Units | Per unit |
|---|---|
| 20 - 99 | CHF.3.00 |
| 100 - 249 | CHF.2.94 |
| 250 - 499 | CHF.2.88 |
| 500 + | CHF.2.83 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 772-5355P
- Mfr. Part No.:
- 2SK2586-E
- Brand:
- Renesas Electronics
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 240 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | SC-65 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 16 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 125 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 15.6mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 4.8mm | |
| Höhe | 19.9mm | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 240 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße SC-65 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 16 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Verlustleistung max. 125 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 15.6mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 4.8mm | ||
Höhe 19.9mm | ||
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