Renesas Electronics N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2 A 200 mW, 3-Pin SOT-323 (SC-70)
- RS Best.-Nr.:
- 772-5434P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3663-T1-A
- Marke:
- Renesas Electronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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CHF.22.20
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 200 - 950 | CHF.0.111 |
| 1000 - 2450 | CHF.0.101 |
| 2500 - 29950 | CHF.0.101 |
| 30000 + | CHF.0.101 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 772-5434P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3663-T1-A
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | SOT-323 (SC-70) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 880 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V | |
| Verlustleistung max. | 200 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 2mm | |
| Breite | 1.25mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 2 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße SOT-323 (SC-70) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 880 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.5V | ||
Verlustleistung max. 200 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -12 V, +12 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 2mm | ||
Breite 1.25mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 0.9mm | ||