onsemi Einfach SuperFET II N-Kanal 1 MOSFET 600 V Erweiterung / 4.5 A 52 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
- RS Best.-Nr.:
- 774-1124P
- Herst. Teile-Nr.:
- FCU900N60Z
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 5 + | CHF 2.343 |
*Richtpreis
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- 774-1124P
- Herst. Teile-Nr.:
- FCU900N60Z
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | SuperFET II | |
| Gehäusegröße | IPAK (TO-251) | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 52W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Höhe | 6.3mm | |
| Länge | 6.8mm | |
| Breite | 2.5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie SuperFET II | ||
Gehäusegröße IPAK (TO-251) | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 52W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Höhe 6.3mm | ||
Länge 6.8mm | ||
Breite 2.5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
SuperFET® und SuperFET® II N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild hat die Hochspannungsleistungs-MOSFET-Familie SuperFET® II mit der Super Junction-Technologie eingeführt. Sie bietet eine Diode mit robustem Gehäuse und erstklassiger Leistung bei Anwendungen in AC/DC-Schaltnetzteilen (SMPS), z. B. Server, Telekommunikation, Computer, Industrie-Netzteil, UPS/ESS, Solar-Wechselrichter, Beleuchtungsanwendungen, die eine hohe Leistungsdichte, Systemeffizienz und Zuverlässigkeit erfordern.
Mit fortschrittlicher Ladungsbalance-Technologie erreichen Entwickler effizientere, kostengünstigere und leistungsstärkere Lösungen, die weniger Platz auf der Platine einnehmen und die Zuverlässigkeit erhöhen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.