onsemi Serie PowerTrench Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 26 A 2 W, 8-Pin WDFN FDPC8013S

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Herst. Teile-Nr.:
FDPC8013S
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

26A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

WDFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13nC

Transistor-Konfiguration

Serie

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.4mm

Höhe

0.75mm

Breite

3.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

Zweifach-N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


Bei Semis PowerTrench ® MOSFETs handelt es sich um optimierte Leistungsschaltgeräte, die eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine kleine Gate-Ladung, eine kleine Rückkehr-Rückgewinnung und eine weiche Rückgewinnungs-Gehäusediode, um zu einem schnellen Schalten der synchronen Gleichrichtung in AC/DC-Netzteilen beizutragen.

Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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