onsemi 2N7002K Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 380 mA 420 mW, 3-Pin 2N7002KT1G SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 780-0478
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002KT1G
- Marke:
- onsemi
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- 2N7002KT1G
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 380mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | 2N7002K | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 420mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.04mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.01mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 380mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie 2N7002K | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 420mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.04mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.01mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der 2N7002K ist ein Kleinsignal-MOSFET. Dieser MOSFET ist ein einzelner N-Kanal mit ESD-Schutz in einem SMD-Gehäuse. Diese MOSFET-Boote verbessern die Systemeffizienz und eignen sich hervorragend für tragbare Anwendungen.
Eigenschaften und Vorteile:
• ESD-geschützt
• N-Kanal
• Niedriger RDS
• PB- und halogenfrei
• Ablass zur Quelle - 60 V
• Verbesserte Systemeffizienz
Anwendungen:
• DC/DC-Wandler
• Pegelschaltkreise
• Niedrige seitliche Lastschalter
• Tragbare Anwendungen wie Telefone, PDAs, DSCs, Laptops und Tablets.
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
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