onsemi Isoliert Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 880 mA 350 mW, 6-Pin US
- RS Best.-Nr.:
- 780-0611P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTJD4152PT1G
- Marke:
- onsemi
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|---|---|
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- 780-0611P
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- NTJD4152PT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 880mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | US | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 350mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.2nC | |
| Durchlassspannung Vf | -0.8V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -12V, +12V | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.35mm | |
| Länge | 2.2mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 880mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße US | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 350mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.2nC | ||
Durchlassspannung Vf -0.8V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -12V, +12V | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.35mm | ||
Länge 2.2mm | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||