onsemi Isoliert N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 300 mA 266 mW, 6-Pin SC-88
- RS Best.-Nr.:
- 780-0627P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTJD5121NT1G
- Marke:
- onsemi
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- 780-0627P
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- NTJD5121NT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 300mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SC-88 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 266mW | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Breite | 1.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.2mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 300mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SC-88 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 266mW | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Breite 1.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.2mm | ||
Höhe 1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||