onsemi NTS2101P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 8 V / 1.5 A 330 mW, 3-Pin NTS2101PT1G SOT-323

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Herst. Teile-Nr.:
NTS2101PT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

8V

Gehäusegröße

SOT-323

Serie

NTS2101P

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

210mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

330mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.4nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±8 V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.35 mm

Länge

2.2mm

Höhe

0.9mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 8V, ON Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


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