onsemi NTS2101P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 8 V / 1.5 A 330 mW, 3-Pin SOT-323
- RS Best.-Nr.:
- 780-4755
- Herst. Teile-Nr.:
- NTS2101PT1G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.5.05
Vorübergehend ausverkauft
- 3'000 Einheit(en) mit Versand ab 07. April 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | CHF 0.202 | CHF 5.05 |
| 100 - 225 | CHF 0.172 | CHF 4.34 |
| 250 - 475 | CHF 0.152 | CHF 3.76 |
| 500 - 975 | CHF 0.131 | CHF 3.33 |
| 1000 + | CHF 0.121 | CHF 3.03 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 780-4755
- Herst. Teile-Nr.:
- NTS2101PT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 8V | |
| Gehäusegröße | SOT-323 | |
| Serie | NTS2101P | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 210mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 330mW | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Breite | 1.35mm | |
| Länge | 2.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 8V | ||
Gehäusegröße SOT-323 | ||
Serie NTS2101P | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 210mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 330mW | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.9mm | ||
Breite 1.35mm | ||
Länge 2.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 8V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
Verwandte Links
- onsemi NTS2101P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 8 V / 1.5 A 330 mW, 3-Pin SOT-323
- onsemi NTS4409N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 700 mA 330 mW, 3-Pin SOT-23
- ROHM RZF013P01 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 1.3 A 800 mW, 3-Pin SOT-323
- ROHM RU1C002ZP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin SOT-323
- ROHM RAF040P01 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 4 A 800 mW, 3-Pin SOT-323
- ROHM RSF010P05 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 45 V / 1 A 800 mW, 3-Pin SOT-323
- DiodesZetex DMP2165UW Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.5 A 700 mW, 3-Pin SOT-323
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90 mA 330 mW, 3-Pin SOT-23