onsemi NTS2101P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 8 V / 1.5 A 330 mW, 3-Pin SOT-323
- RS Best.-Nr.:
- 780-4755P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTS2101PT1G
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 780-4755P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTS2101PT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 8V | |
| Gehäusegröße | SOT-323 | |
| Serie | NTS2101P | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 210mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 330mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -8V, +8V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 900μm | |
| Länge | 2.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 8V | ||
Gehäusegröße SOT-323 | ||
Serie NTS2101P | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 210mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 330mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -8V, +8V | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 900μm | ||
Länge 2.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||