onsemi Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.3 A 350 mW, 3-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 780-4761P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTS4173PT1G
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 350mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.1nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 350mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.1nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||