STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 710 V / 28 A 190 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 783-2996P
- Herst. Teile-Nr.:
- STW34N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 10 Stück (geliefert in Stange)*
CHF.43.83
Auf Lager
- Zusätzlich 461 Einheit(en) mit Versand ab 13. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 99 | CHF.4.38 |
| 100 - 599 | CHF.3.19 |
| 600 - 1199 | CHF.3.15 |
| 1200 + | CHF.3.11 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 783-2996P
- Herst. Teile-Nr.:
- STW34N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 28A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 710V | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 110mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 62.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 190W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 20.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 15.75mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 28A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 710V | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 110mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 62.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 190W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 20.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 15.75mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics
Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- Pilz PNOZ s4 Sicherheitsrelais, 24V dc, 2-Kanal, 3 Sicherheitskontakte Not-Aus, 1 Hilfsschalter, 4 ISO 13849-1,
- nVent RAYCHEM Begleitheizung Anschlussset CE-02, 240 x 47 x 64mm, 240mm x 64mm x 47mm
- RS PRO Serie 2 Alu Strebenprofil 20 x 20 mm, 4-fach Nut 5mm, Länge 1000mm
- RS PRO Serie 2 Alu Strebenprofil 40 x 40 mm, 4-fach Nut 8mm, Länge 1000mm
- Carling Tafelmontage Wippschalter, 2-poliger Wechsler Ein-(Ein), 15 A 21.08mm x 36.83mm beleuchtet, IP66, IP68
- Allen Bradley SMC-3 Sanftstarter 3-phasig 11 kW, 460 V ac / 25 A, Automatik
- nVent RAYCHEM Rohrbegleitheizung Set, selbstregulierend, Warmwassererhaltung, 9W, 20m, 230V ac
- ETI DIAZED-Sicherung, Typ DIII, Anwendungsbereich gG - gL, 63A, 500V ac, E33 Gewinde