STMicroelectronics MDmesh M2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 18 A 150 W, 3-Pin STW24N60M2
- RS Best.-Nr.:
- 783-3090
- Herst. Teile-Nr.:
- STW24N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.14.07
Auf Lager
- 30 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | CHF.2.814 | CHF.14.05 |
| 10 + | CHF.2.667 | CHF.13.35 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 783-3090
- Herst. Teile-Nr.:
- STW24N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | MDmesh M2 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 190mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 15.75mm | |
| Höhe | 20.15mm | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie MDmesh M2 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 190mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 15.75mm | ||
Höhe 20.15mm | ||
Breite 5.15 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics
Eine Serie von Hochspannungsleistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer geringen Gate-Ladung und der ausgezeichneten Ausgangskapazität eignet sich die Serie MDmesh M2 perfekt für den Einsatz in Resonanzschaltnetzgeräten (LLC-Wandler).
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 18 A 150 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 52 A 350 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 32 A 250 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 26 A 190 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 22 A 170 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 18 A 30 W, 3-Pin TO-220FP
- STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 68 A 450 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh M9 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 54 A, 3-Pin TO-247