International Rectifier AUIRFL024N N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 55 V / 2,8 A 1 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 784-9142
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFL024N
- Marke:
- International Rectifier
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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CHF.7.88
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.0.788 | CHF.7.87 |
| 50 - 90 | CHF.0.683 | CHF.6.80 |
| 100 - 240 | CHF.0.599 | CHF.6.01 |
| 250 - 490 | CHF.0.378 | CHF.3.74 |
| 500 + | CHF.0.315 | CHF.3.20 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 784-9142
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFL024N
- Marke:
- International Rectifier
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | International Rectifier | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,8 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 55 V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 75 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 1 W | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Breite | 3.7mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 18,3 nC @ 10 V | |
| Länge | 6.7mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke International Rectifier | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 2,8 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 55 V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 75 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 1 W | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Breite 3.7mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 18,3 nC @ 10 V | ||
Länge 6.7mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 1.8mm | ||
- Ursprungsland:
- MY
Kfz-N-Kanal-MOSFET, Infineon
Das umfassende Portfolio an AECQ-101-zugelassenen Einfach-Matrizen-N-Kanal-Geräten für die Automobilindustrie von Infineon entspricht einer Vielzahl von Anforderungen an die Stromversorgung in vielen Anwendungen. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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