STMicroelectronics STripFET H7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 180 A 315 W, 7-Pin H2PAK
- RS Best.-Nr.:
- 786-3704P
- Herst. Teile-Nr.:
- STH310N10F7-6
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 20 - 98 | CHF 4.666 |
| 100 - 198 | CHF 4.515 |
| 200 + | CHF 3.919 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 786-3704P
- Herst. Teile-Nr.:
- STH310N10F7-6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | H2PAK | |
| Serie | STripFET H7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 180nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 315W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.8mm | |
| Länge | 15.25mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 10.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße H2PAK | ||
Serie STripFET H7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 180nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 315W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.8mm | ||
Länge 15.25mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 10.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.