STMicroelectronics STripFET H7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 100 V / 180 A 315 W, 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 786-3798P
- Herst. Teile-Nr.:
- STP310N10F7
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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CHF.37.59
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 98 | CHF.3.759 |
| 100 - 498 | CHF.3.308 |
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- RS Best.-Nr.:
- 786-3798P
- Herst. Teile-Nr.:
- STP310N10F7
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | STripFET H7 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 315W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 180nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.6 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.4mm | |
| Höhe | 15.75mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie STripFET H7 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 315W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 180nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.6 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.4mm | ||
Höhe 15.75mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.