Vishay TP0610K Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 185 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 787-9018
- Herst. Teile-Nr.:
- TP0610K-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
CHF.3.84
Nur noch Restbestände
- Letzte 220 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | CHF.0.192 | CHF.3.88 |
| 200 - 480 | CHF.0.182 | CHF.3.66 |
| 500 - 980 | CHF.0.162 | CHF.3.29 |
| 1000 - 1980 | CHF.0.152 | CHF.3.09 |
| 2000 + | CHF.0.141 | CHF.2.91 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 787-9018
- Herst. Teile-Nr.:
- TP0610K-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 185mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | TP0610K | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.7nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 350mW | |
| Durchlassspannung Vf | -1.4V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Länge | 3.04mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 185mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie TP0610K | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.7nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 350mW | ||
Durchlassspannung Vf -1.4V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.02mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Länge 3.04mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay TP0610K Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 0.19 A 350 mW, 3-Pin SOT-23
- Vishay Si2301CDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.3 A 860 mW, 3-Pin SOT-23
- Vishay Si2305CDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 8 V / 4.4 A 960 mW, 3-Pin SOT-23
- STMicroelectronics STripFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2 A 350 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi UniFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 460 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23
- Vishay TN2404K/TN2404KL/BS107KL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 240 V / 300 mA 510 mW, 3-Pin SOT-23
- ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 400 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi 2N7002K Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 300 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23