Vishay Isoliert TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 8 A 4.4 W, 8-Pin SOIC

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

CHF.102.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 14. Dezember 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
50 - 120CHF.2.04
125 - 245CHF.1.838
250 - 495CHF.1.737
500 +CHF.1.626

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
787-9462P
Herst. Teile-Nr.:
SQ4920EY-T1_GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

17.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

4.4W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.75V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Länge

5mm

Höhe

1.5mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.