Vishay SQ Rugged N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 8 A 3.6 W, 6-Pin TSOP
- RS Best.-Nr.:
- 787-9468P
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ3460EV-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 787-9468P
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ3460EV-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 53mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -8V, +8V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.3nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.6W | |
| Durchlassspannung Vf | 770mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 1.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 3.1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie SQ Rugged | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 53mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -8V, +8V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.3nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.6W | ||
Durchlassspannung Vf 770mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 1.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 3.1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
N-Kanal MOSFET, Serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor
Die MOSFETs der Serie SQ von Vishay Semiconductor wurden für alle Kfz Anwendungen entwickelt, die Robustheit und hohe Zuverlässigkeit erfordern.
Vorteile von MOSFETs der Serie SQ Rugged
• AEC-Q101-qualifiziert
• Anschlusstemperatur: bis zu +175 °C
• N- und P-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
• Innovative platzsparende Gehäuseoptionen
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Approvals
AEC-Q101