- RS Best.-Nr.:
- 792-0885P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS123,215
- Marke:
- Nexperia
Alle MOSFET anzeigen
563600 Lieferung erfolgt innerhalb von 6-8 Werktagen.
Preis pro Stück (auf Rolle) Bestellmengen unter 150 Stück auf Gurtabschnitt
CHF.0.105
Stück | Pro Stück |
200 - 400 | CHF.0.105 |
500 - 900 | CHF.0.084 |
1000 - 1900 | CHF.0.074 |
2000 + | CHF.0.074 |
Verpackungsoptionen:
- RS Best.-Nr.:
- 792-0885P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS123,215
- Marke:
- Nexperia
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-MOSFET, 100 V und mehr, Nexperia
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 150 mA |
Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
Gehäusegröße | SOT-23 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 6 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.8V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
Verlustleistung max. | 250 mW |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 1.4mm |
Länge | 3mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Transistor-Werkstoff | Si |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
Höhe | 1mm |