STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,5 A 38 W, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 792-5903
- Herst. Teile-Nr.:
- STL4N80K5
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 792-5903
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 800 V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT 5 x 6 | |
| Serie | MDmesh K5, SuperMESH5 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2,5 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 38 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 10,5 nC @ 10 V | |
| Länge | 6.35mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 5.4mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 2,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 800 V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT 5 x 6 | ||
Serie MDmesh K5, SuperMESH5 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 2,5 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 38 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 10,5 nC @ 10 V | ||
Länge 6.35mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 5.4mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 0.95mm | ||
N-Kanal MDmesh™ K5-Serie, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
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