STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 60 A 110 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 795-6944P
- Herst. Teile-Nr.:
- STB60NF06LT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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CHF.51.975
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 25 - 45 | CHF.2.079 |
| 50 - 120 | CHF.1.869 |
| 125 - 245 | CHF.1.68 |
| 250 + | CHF.1.607 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 795-6944P
- Herst. Teile-Nr.:
- STB60NF06LT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | STripFET II | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 14mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 35nC | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 15 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 9.35 mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie STripFET II | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 14mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 35nC | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 15 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 9.35 mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.6mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.