NTR5198NLT1G N-Kanal MOSFET, 60 V / 2,2 A, 900 mW, SOT-23 3-Pin

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Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 2,2 A
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Gehäusegröße SOT-23
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 155 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V
Verlustleistung max. 900 mW
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Gate-Ladung typ. @ Vgs 5,1 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. -55 °C
Breite 1.4mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 3.04mm
Höhe 1.01mm
Transistor-Werkstoff Si
675 lieferung erfolgt innerhalb von 3 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 25)
CHF .0.257
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 25
CHF.0.257
CHF.6.319
50 - 100
CHF.0.187
CHF.4.622
125 - 475
CHF.0.12
CHF.2.925
500 - 1225
CHF.0.105
CHF.2.574
1250 +
CHF.0.094
CHF.2.223
*Bitte VPE beachten
Verpackungsoptionen: