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Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Toshiba TK TK30E06N1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 43 A 53 W, 3-Pin TO-220
RS Best.-Nr.:
796-5083P
Herst. Teile-Nr.:
TK30E06N1
Marke:
Toshiba
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Nicht mehr im Sortiment
RS Best.-Nr.:
796-5083P
Herst. Teile-Nr.:
TK30E06N1
Marke:
Toshiba
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Technische Daten
TK30E06N1, Silicon N-channel MOSFET (U-MOSVIII-H) Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
MOSFET N-Kanal, Serie TK3x, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Eigenschaft
Wert
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
43 A
Drain-Source-Spannung max.
60 V
Serie
TK
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3
Drain-Source-Widerstand max.
15 mΩ
Channel-Modus
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.
4V
Verlustleistung max.
53 W
Transistor-Konfiguration
Einfach
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Transistor-Werkstoff
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Länge
10.16mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs
16 nC @ 10 V
Breite
4.45mm
Höhe
15.1mm