Toshiba TK TK30E06N1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 43 A 53 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 796-5083P
Herst. Teile-Nr.:: TK30E06N1
Marke:: Toshiba

Toshiba TK TK30E06N1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 43 A 53 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Nicht mehr im Sortiment

RS Best.-Nr.:: 796-5083P
Herst. Teile-Nr.:: TK30E06N1
Marke:: Toshiba

TK30E06N1, Silicon N-channel MOSFET (U-MOSVIII-H) Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	43 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Serie	TK
Gehäusegröße	TO-220
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	15 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Verlustleistung max.	53 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	10.16mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	16 nC @ 10 V
Breite	4.45mm
Höhe	15.1mm

Toshiba TK TK30E06N1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 43 A 53 W, 3-Pin TO-220

MOSFET N-Kanal, Serie TK3x, Toshiba