Nexperia PMV32UP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4 A 415 mW, 3-Pin PMV32UP,215 SOT-23

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798-2798
Herst. Teile-Nr.:
PMV32UP,215
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

PMV32UP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

36mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

415mW

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3mm

Höhe

1mm

Breite

1.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal-MOSFET, Nexperia


MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors


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