onsemi RFD16N06LESM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 16 A 90 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 802-2146
- Herst. Teile-Nr.:
- RFD16N06LESM9A
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.7.245
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 + | CHF.1.449 | CHF.7.26 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 802-2146
- Herst. Teile-Nr.:
- RFD16N06LESM9A
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | RFD16N06LESM | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 47mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 51nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 90W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie RFD16N06LESM | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 47mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 51nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 90W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.39mm | ||
Breite 6.22 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi RFD16N06LESM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 16 A 90 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 90 A, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 90 A, 3-Pin IPD048N06L3GATMA1 TO-252
- Toshiba Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 60 A 90 W, 3-Pin TO-252
- onsemi Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 15.5 A 65 W, 3-Pin TO-252
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 20 A 36 W, 3-Pin TO-252
- Toshiba Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 60 A 90 W, 3-Pin TJ60S04M3L TO-252
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 20 A 36 W, 3-Pin NTD5867NLT4G TO-252