onsemi NVF6P02 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 8.4 A 8.3 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 805-1996
- Herst. Teile-Nr.:
- NVF6P02T3G
- Marke:
- onsemi
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Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.987 | CHF.9.87 |
| 100 - 240 | CHF.0.851 | CHF.8.51 |
| 250 - 490 | CHF.0.735 | CHF.7.37 |
| 500 - 990 | CHF.0.651 | CHF.6.48 |
| 1000 + | CHF.0.588 | CHF.5.90 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 805-1996
- Herst. Teile-Nr.:
- NVF6P02T3G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | NVF6P02 | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 70mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±8 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 8.3W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.65mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.7 mm | |
| Länge | 6.7mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie NVF6P02 | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 70mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±8 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 8.3W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.65mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.7 mm | ||
Länge 6.7mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
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