onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 4.5 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.9.295

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 1’735 Einheit(en) mit Versand ab 05. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 20CHF.1.859CHF.9.27
25 - 120CHF.1.701CHF.8.52
125 - 620CHF.1.67CHF.8.36
625 - 1245CHF.1.638CHF.8.19
1250 +CHF.1.512CHF.7.57

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
806-3649
Herst. Teile-Nr.:
FDS3992
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

123mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11nC

Betriebstemperatur min.

150°C

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Höhe

1.575mm

Länge

4.9mm

Breite

3.9 mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Zweifach-N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


Bei Semis PowerTrench ® MOSFETs handelt es sich um optimierte Leistungsschaltgeräte, die eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine kleine Gate-Ladung, eine kleine Rückkehr-Rückgewinnung und eine weiche Rückgewinnungs-Gehäusediode, um zu einem schnellen Schalten der synchronen Gleichrichtung in AC/DC-Netzteilen beizutragen.

Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links