onsemi Einfach PowerTrench N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 600 mA, 3-Pin SOT-523 (SC-89)
- RS Best.-Nr.:
- 807-0729P
- Herst. Teile-Nr.:
- FDY302NZ
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 600mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | SOT-523 (SC-89) | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12, -12V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 0.98mm | |
| Höhe | 0.78mm | |
| Länge | 1.7mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 600mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße SOT-523 (SC-89) | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12, -12V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 0.98mm | ||
Höhe 0.78mm | ||
Länge 1.7mm | ||
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
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Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.