onsemi UltraFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 75 A 515 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 807-8705P
- Herst. Teile-Nr.:
- HUF75652G3
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 75A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | UltraFET | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 393nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 515W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 15.87mm | |
| Höhe | 20.82mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.82mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 75A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie UltraFET | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 393nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 515W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 15.87mm | ||
Höhe 20.82mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.82mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
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UltraFET® Trench-MOSFETs kombinieren Eigenschaften, die eine richtungsweisende Effizienz in der Leistungsumwandlung ermöglichen. Das Gerät hält im Stoßentladungsmodus einer hohen Energielast stand, und die Diode zeichnet sich durch eine sehr niedrige Umkehr-Erholzeit und gespeicherte Ladung aus. Optimiert für Effizienz bei hohen Frequenzen, niedrigste RDS(ein), niedriger ESR und niedrige Gesamt- und Miller-Gate-Ladung.
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