onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 8.4 A 69 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 809-0893P
- Herst. Teile-Nr.:
- FDD4685
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 809-0893P
- Herst. Teile-Nr.:
- FDD4685
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 42mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 69W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.22mm | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 42mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 69W | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.22mm | ||
Höhe 2.39mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
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