onsemi SuperFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 77 A 592 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 809-5053P
Herst. Teile-Nr.:: FCH041N60E
Marke:: onsemi

onsemi SuperFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 77 A 592 W, 3-Pin TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme 1 Stück (geliefert in Stange)*

CHF.13.574

Begrenzter Lagerbestand

Zusätzlich 436 Einheit(en) mit Versand ab 27. Juli 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück
1 +	CHF.13.57

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 809-5053P
Herst. Teile-Nr.:: FCH041N60E
Marke:: onsemi

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	77A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Gehäusegröße	TO-247
	Serie	SuperFET II
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	41mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	592W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	285nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	20.82mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	15.87mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 77A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Gehäusegröße TO-247
	Serie SuperFET II
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 41mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 592W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 285nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 20.82mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 15.87mm
	Automobilstandard Nein

SuperFET® und SuperFET® II N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild hat die Hochspannungsleistungs-MOSFET-Familie SuperFET® II mit der Super Junction-Technologie eingeführt. Sie bietet eine Diode mit robustem Gehäuse und erstklassiger Leistung bei Anwendungen in AC/DC-Schaltnetzteilen (SMPS), z. B. Server, Telekommunikation, Computer, Industrie-Netzteil, UPS/ESS, Solar-Wechselrichter, Beleuchtungsanwendungen, die eine hohe Leistungsdichte, Systemeffizienz und Zuverlässigkeit erfordern.

Mit fortschrittlicher Ladungsbalance-Technologie erreichen Entwickler effizientere, kostengünstigere und leistungsstärkere Lösungen, die weniger Platz auf der Platine einnehmen und die Zuverlässigkeit erhöhen.

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

onsemi SuperFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 77 A 592 W, 3-Pin TO-247

SuperFET® und SuperFET® II N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

Verwandte Links

Recently viewed

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote