STripFET STW120NF10 N-Kanal MOSFET, 100 V / 110 A, 312 W, TO-247 3-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 110 A
Drain-Source-Spannung max. 100 V
Gehäusegröße TO-247
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 10,5 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 4V
Gate-Schwellenspannung min. 2V
Verlustleistung max. 312 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur min. -55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 172 nC bei 10 V
Breite 5.15mm
Höhe 20.15mm
Serie STripFET
Betriebstemperatur max. +175 °C
Länge 15.75mm
Transistor-Werkstoff Si
1315 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 5)
CHF .4.178
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 20
CHF.4.178
CHF.20.876
25 - 95
CHF.3.312
CHF.16.570
100 - 245
CHF.2.867
CHF.14.335
250 - 495
CHF.2.727
CHF.13.621
500 +
CHF.2.434
CHF.12.181
*Bitte VPE beachten
Verpackungsoptionen: