STMicroelectronics STripFET STW120NF10 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 110 A 312 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 810-3700
- Herst. Teile-Nr.:
- STW120NF10
- Marke:
- STMicroelectronics
810 lieferbar innerhalb von 6-8 Werktagen.
Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
CHF.4.515
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 5 - 5 | CHF.4.515 | CHF.22.596 |
| 10 - 20 | CHF.3.864 | CHF.19.341 |
| 25 - 95 | CHF.3.665 | CHF.18.302 |
| 100 - 495 | CHF.3.077 | CHF.15.362 |
| 500 + | CHF.2.72 | CHF.13.608 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 810-3700
- Herst. Teile-Nr.:
- STW120NF10
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 110 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Serie | STripFET |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 10,5 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 312 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Länge | 15.75mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 172 nC bei 10 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Breite | 5.15mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Höhe | 20.15mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 810-3700
- Herst. Teile-Nr.:
- STW120NF10
- Marke:
- STMicroelectronics