Vishay IRFR Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 3.6 A 42 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 812-0654
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR9220TRPBF
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.512 | CHF.7.55 |
| 50 - 120 | CHF.1.418 | CHF.7.11 |
| 125 - 245 | CHF.1.281 | CHF.6.42 |
| 250 - 495 | CHF.1.208 | CHF.6.04 |
| 500 + | CHF.1.134 | CHF.5.67 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 812-0654
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR9220TRPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | IRFR | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 42W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -6.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie IRFR | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 42W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -6.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.38mm | ||
Breite 6.22 mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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