Vishay IRFZ Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 150 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 812-0676
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ40PBF
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.636 | CHF.13.17 |
| 50 - 120 | CHF.2.478 | CHF.12.37 |
| 125 - 245 | CHF.2.373 | CHF.11.86 |
| 250 - 495 | CHF.2.111 | CHF.10.53 |
| 500 + | CHF.1.974 | CHF.9.87 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 812-0676
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ40PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | IRFZ | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 28mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 2.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 67nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.65mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.65 mm | |
| Länge | 10.52mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie IRFZ | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 28mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 2.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 67nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.65mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.65 mm | ||
Länge 10.52mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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