Vishay Isoliert TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 700 mA 340 mW, 6-Pin SC-70-6

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RS Best.-Nr.:
812-3094P
Herst. Teile-Nr.:
SI1553CDL-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

700mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SC-70-6

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.48mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

12, -12V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.2nC

Maximale Verlustleistung Pd

340mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Höhe

1mm

Breite

1.35mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.2mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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