Vishay Isoliert TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 700 mA 340 mW, 6-Pin SC-70-6
- RS Best.-Nr.:
- 812-3094P
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1553CDL-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 700mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SC-70-6 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.48mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.2nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 340mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12, -12V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 2.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.35mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 700mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SC-70-6 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.48mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.2nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 340mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12, -12V | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 2.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.35mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie TrenchFET von Vishay, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 700 mA maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SI1553CDL-T1-GE3
Dieser MOSFET ist ein kompakter oberflächenmontierbarer Zweikanal-Transistor, der für Schalt- und analoge Aufgaben in kleinen Baugruppen entwickelt wurde. Es integriert sowohl P-Kanal- als auch N-Kanal-Geräte auf einem einzigen Chip und ermöglicht komplementäre Schalttopologien sowie vereinfachte Anforderungen an die Grundfläche für Entwickler, die mit Niederspannungs-Stromversorgungsschienen und Signalpegel-Schaltungen arbeiten.
Merkmale und Vorteile:
• Sehr niedrige Rds(on) von 1.48 mΩ für reduzierte Leitungsverluste
• Typische Gate-Ladung Qg von 1,2 nC für schnelleres Gate-Drive-Ansprechen
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 700 mA für das Schalten bei mittlerer Last
• Maximale Vds von 20 V zur Unterstützung von Niederspannungs-Leistungsbereichen
• Verlustleistung von 340 mW zur Bewältigung thermischer Lasten
• Typische Gate-Ladung Qg von 1,2 nC für schnelleres Gate-Drive-Ansprechen
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 700 mA für das Schalten bei mittlerer Last
• Maximale Vds von 20 V zur Unterstützung von Niederspannungs-Leistungsbereichen
• Verlustleistung von 340 mW zur Bewältigung thermischer Lasten
Anwendungsbereich
• Geeignet für Batteriemanagement und Stromverteilungsschaltkreise
• Ideal für Lastschaltvorgänge in tragbaren Messgeräten
• Wird mit Pegelverschiebungs- und komplementären FET-Stufen verwendet
• Kann für Niederspannungs-Motorsteuerungs-Treiberstufen verwendet werden
• Ideal für Lastschaltvorgänge in tragbaren Messgeräten
• Wird mit Pegelverschiebungs- und komplementären FET-Stufen verwendet
• Kann für Niederspannungs-Motorsteuerungs-Treiberstufen verwendet werden
Welche Gehäuseart verwendet es und wie viele Stifte sind vorhanden?
Es wird in einem 6-poligen SC-70-SMD-Gehäuse geliefert, das Platz auf der Leiterplatte spart und gleichzeitig separate Anschlüsse für zwei Geräte bietet.
Welche Gate-Spannungsgrenzen sollte das Design einhalten?
Die Gate-to-Source-Spannung muss innerhalb von ±12 V liegen, um Gerätebelastungen zu vermeiden und einen sicheren Betrieb zu gewährleisten.
Welcher Betriebstemperaturbereich kann bei der Implementierung erwartet werden?
Er verträgt einen breiten Umgebungsbereich von -55 °C bis 150 °C und unterstützt anspruchsvolle thermische Umgebungen.
Enthält das Gerät mehrere Elemente pro Matrize und wie wirkt sich das auf das Layout aus?
Der Chip enthält zwei diskrete Elemente, die eine gespiegelte Verlegung für komplementäre Schaltkreise ermöglichen und die Anzahl der Komponenten reduzieren.