Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 1.1 A 1.25 W, 6-Pin SC-88
- RS Best.-Nr.:
- 812-3108P
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1967DH-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 250 - 450 | CHF 0.303 |
| 500 - 1200 | CHF 0.283 |
| 1250 - 2450 | CHF 0.242 |
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- RS Best.-Nr.:
- 812-3108P
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1967DH-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | SC-88 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 790mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.25W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.6nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -8V, +8V | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 1.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.2mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße SC-88 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 790mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.25W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.6nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -8V, +8V | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 1.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.2mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET der Serie TrenchFET von Vishay, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,1 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SI1967DH-T1-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein oberflächenmontierter P-Kanal-Transistor für Niederspannungsschalt- und analoge Funktionen in kompakten elektronischen Baugruppen. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Gerät und ist so konzipiert, dass er dort integriert werden kann, wo eine isolierte Transistorkonfiguration und eine geringe Dauerstromverarbeitung erforderlich sind. Die Komponente wird in einem kleinen SC-88-Gehäuse geliefert, das für dichte Layouts geeignet ist.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 20 V Drain-Source ermöglicht das Schalten bei niedriger Spannung
• 1,1 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt konstante Lasten
• 790 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste
• Die typische Gate-Ladung von 2,6 nC ermöglicht schnellere Gate-Übergänge
• 1,25 W Verlustleistung bewältigt mäßige thermische Belastung
• 1,1 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt konstante Lasten
• 790 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste
• Die typische Gate-Ladung von 2,6 nC ermöglicht schnellere Gate-Übergänge
• 1,25 W Verlustleistung bewältigt mäßige thermische Belastung
Anwendungen
• Geeignet für Batterieschutzschaltungen in tragbaren Geräten
• Ideal für Lastschaltvorgänge in kompakten Leistungsmodulen
• Wird mit Pegelverschiebungsstufen in analogen Front-Ends verwendet
• Kann zum Schalten von zwei Kanälen in engen Leiterplattenbereichen verwendet werden
• Ideal für Lastschaltvorgänge in kompakten Leistungsmodulen
• Wird mit Pegelverschiebungsstufen in analogen Front-Ends verwendet
• Kann zum Schalten von zwei Kanälen in engen Leiterplattenbereichen verwendet werden
Welche Montageart ist für die Montage erforderlich?
Sie ist für die Oberflächenmontage auf Standard-Lötpads vorgesehen, die mit SC-88-Abmessungen kompatibel sind.
Wie viele aktive Transistorelemente enthält er?
Das Gerät enthält zwei Elemente pro Chip, was eine duale Funktion oder ein komplementäres Routing in Designs ermöglicht.
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten Entwickler beachten?
Die maximale Gate-to-Source-Nennspannung beträgt 8 V, die nicht überschritten werden darf, um eine Belastung des Geräts zu vermeiden.
Welchem Temperaturbereich hält es im Betrieb stand?
Er ist für den Betrieb zwischen -55 °C und 150 °C ausgelegt und eignet sich für eine Vielzahl von Umgebungsbedingungen.