Vishay Si2304DDS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.6 A 1.7 W, 3-Pin SOT-23

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812-3117P
Herst. Teile-Nr.:
SI2304DDS-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

Si2304DDS

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

75mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.7W

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.04mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.4mm

Höhe

1.02mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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