Vishay Si4431CDY Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 7.2 A 4.2 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
812-3215P
Herst. Teile-Nr.:
SI4431CDY-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

Si4431CDY

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

49mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Durchlassspannung Vf

-0.71V

Maximale Verlustleistung Pd

4.2W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Höhe

1.55mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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